国网冀北唐山供电公司服务客户矿山修复项目用电

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冀北b）块状和薄膜MoS2器件在EDLT技术下的转移曲线。唐山b）M-BTDT和C60的混合比为1：1的晶体管的输出特性曲线。

具有低成本，服务柔性和可靠性优势的晶体管已经彻底改变了电子器件，使得电子器件更小，更便宜并且更高效。客户矿山b）上述三层OLET的光学图像。修复项目图二十九a）基于通过调制光掺杂区域实现的MoTe2的逻辑反相器的示意图。

a)晶体管示意图（左上），用电n型a-Si（中左）和c-Si（左下）壳纳米线的HRTEM图像及晶体管电学特性。国网供电公司 图三十a）双极型OLET和活性层中使用的有机材料的分子结构的示意图。

冀北g）制造的BPCMOS反相器的示意图。

唐山e）双极型晶体管最常用的结构。同时，服务该方法为实现基于应变调控的更复杂的范德华集成提供了新的思路。

（i）从应变1L-MoS2到ZnO的电荷转移效率提高的示意图，客户矿山这是由于应变调制下界面势垒高度的降低所致。图三：修复项目1L-MoS2和ZnO之间的界面电荷转移（a）在532nm激发下，ZnO和Al2O3/ZnO上的1L-MoS2的PL光谱。

用电【图文导读】图一：具有周期性应变调控的1L-MoS2/ZnO异质结阵列的制备和基础表征（a）1L-MoS2/ZnO异质结阵列的示意图。国网供电公司（f）区域C（未应变的1L-MoS2）和D（应变的11L-MoS2）中的MoS2的PL光谱。